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  IR21844SPBF 600V半橋柵極驅動器IC 2024-09-18 09:39:31

  IR21844SPBF 是一款專為驅動 IGBT 和 MOSFET 設計的 600V 半橋柵極驅動器 IC，具備高電壓容限、低傳播延遲和雙通道欠壓鎖定功能，適用于電機控制和電源應用。其主要特性包括 600V 電壓等級、1.9A 拉電流和 2.3A 灌電流輸出、多種封裝形式（14 引腳 SOIC、14 引腳 PDIP、8 引腳 SOIC、8 引腳 PDIP）、10V 至 20V 柵極驅動電壓范圍、3.3V 和 5V 輸入邏輯兼容性、雙通道欠壓鎖定功能（VCC 和 VBS）、以及較低的 di/dt 柵極驅動器設計。該器件適用于電機控制、電動工具、電源集中式逆變器解決方案和家用電器等多種應用。

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  MICRON DDR4 內存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內存是全新一代的存儲空間標準規范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區別：16位預取機制（DDR3為8位），在同樣內核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數據標準規范更加安全可靠，數據安全可靠性進一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環保節能。