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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應(yīng)晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時(shí)連續(xù)漏極電流達(dá)3.5A（100°C時(shí)為2.25A），最大功耗15W。其導(dǎo)通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時(shí)），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動(dòng)態(tài)特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關(guān)延遲15-45ns，適用于高頻開關(guān)場景。該器件特別適合電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統(tǒng)，兼具高效能和快速響應(yīng)特性。

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  PESD24VL2BT低電容雙向雙ESD保護(hù)二極管NXP現(xiàn)貨 2025-01-07 08:44:03

  PESD24VL2BT是NXP公司的低電容ESD保護(hù)設(shè)備產(chǎn)品，采用SOT23封裝，是低電容雙向雙ESD保護(hù)二極管，用于保護(hù)兩條信號(hào)線免受ESD或瞬態(tài)電壓損壞。其特性包括兩條線路ESD保護(hù)、超低漏電流、350W最大峰值脈沖功率、高達(dá)23kV的ESD保護(hù)、低鉗位電壓等，符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)；應(yīng)用領(lǐng)域涉及計(jì)算機(jī)和外設(shè)、通信系統(tǒng)、音頻視頻設(shè)備、便攜式電子設(shè)備、手機(jī)及附件、SIM卡保護(hù)等。