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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導通電阻、快速開關、抵御單粒子效應能力等特點。廣泛應用于DC-DC轉換器、電力推進和電機驅動領域，在高輻射環境下表現穩定可靠。已有更優產品JANSR2N7584T1推出。

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  英飛凌FS100R12PT4：經濟型高效六單元IGBT模塊 2024-03-11 09:14:34

  隨著電力電子技術的快速發展，高性能的IGBT模塊在逆變器、電機驅動以及新能源發電等領域的應用越來越廣泛。在眾多IGBT模塊品牌中，英飛凌憑借其卓越的技術實力和品質保障，一直受到市場的青睞。今天，我們為大家介紹一款英飛凌的明星產品——FS100R12PT4，這款1200V 100A六單元IGBT模塊，不僅性能卓越，而且經濟實用，是您電力電子系統的理想之選。