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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  ADI單通道單刀單擲開關ADG841 2022-03-21 17:21:46

  ADI?的ADG841-KG是種具備單極單擲（SPST）開關的低壓CMOS元器件。相對于邏輯1輸入，ADG841-KGD封閉。